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PSMN4R6-60BS,118  与  IPB037N06N3 G  区别

型号 PSMN4R6-60BS,118 IPB037N06N3 G
唯样编号 A-PSMN4R6-60BS,118 A-IPB037N06N3 G
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 9.25mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 3.7mΩ@90A,10V
上升时间 - 70ns
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 211W 188W
Qg-栅极电荷 - 98nC
输出电容 567pF -
栅极电压Vgs 3V ±20V
正向跨导 - 最小值 - 61S
典型关闭延迟时间 - 40ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT404 TO-263-3
工作温度 175℃ -55°C~175°C
连续漏极电流Id 100A 90A
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - OptiMOS3
输入电容 4426pF -
长度 - 10mm
Rds On(max)@Id,Vgs 4.4mΩ@10V -
下降时间 - 5ns
典型接通延迟时间 - 30ns
高度 - 4.4mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
210+ :  ¥11.4567
400+ :  ¥9.7091
800+ :  ¥8.9074
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN4R6-60BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

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¥11.4567 

阶梯数 价格
210: ¥11.4567
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